特許
J-GLOBAL ID：200903087015928321

半導体レーザの製造方法

発明者：
奥貫 雄一郎

奥貫 雄一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354157
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168467
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】フォトレジストとメサとの密着性を向上し、メサ頂部の第二成長阻止マスクの浸蝕・消失を防止して歩留まりよく、且つ、特性の揃った半導体レーザを製造する。【解決手段】誘電体からなる一対の第一成長阻止マスクの間に選択成長により活性層を含むメサを形成した後、メサ頂部に第二成長阻止マスクを形成して電流ブロック層を成長し、さらに、第二成長阻止マスク除去後、メサ及び電流ブロック層上にクラッド層およびコンタクト層を成長して半導体レーザを製造する方法において、第一成長阻止マスクを除去した後に第二成長阻止マスクとなる誘電体膜を半導体基板全面に形成する工程を含むことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上にストライプ状の開口を有する第一成長阻止マスクを形成する工程と、前記第一成長阻止マスクの開口部に、発光に寄与する活性層を含む多層構造から成るストライプ状のメサを選択成長により形成する工程と、前記第一成長阻止マスクを除去する工程と、誘電体膜を前記メサを覆って前記半導体基板全面に形成する工程と、前記誘電体膜を前記メサ頂部のみに残す工程と、前記メサ頂部に残された誘電体膜を第二成長阻止マスクとして、選択成長により前記メサ両脇に電流ブロック層を成長する工程と、前記第二成長阻止マスクを除去する工程と、前記メサ上及び前記電流ブロック上に第2導電型のクラッド層及びコンタクト層を順次成長する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Fターム (15件)：
5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073BA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA26 ,  5F073DA35 ,  5F073EA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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