特許
J-GLOBAL ID:200903087028787140

微細試料の加工方法,観察方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-132281
公開番号(公開出願番号):特開2008-286652
出願日: 2007年05月18日
公開日(公表日): 2008年11月27日
要約:
【課題】 試料の微細化に伴い、特に電子線照射に弱い材料に対して高い位置精度で薄膜加工し、観察する手法の確立が望まれている。これには、FIB加工の加工終点をどのように判断し、観察部位が薄膜の中心に残るよう制御するかが技術的な課題となっている。【解決手段】 試料断面の傾き部分に短冊状の加工領域を設定し、その加工モニタを短辺方向に拡大表示することで、断面構造の表示を可能とする。断面の構造が電子線の併用無しに確認できる。加工断面の確認を電子線を用いずに実施できるため、加工断面に電子線による損傷や変形が発生しない。また、薄膜化後に高加速電子線により観察することで、試料損傷を抑えた観察が可能で、電子線による試料像を観察しながら更に薄い薄膜にFIBで加工することが可能となる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
集束したイオンビームを試料に照射し、試料から放出される二次粒子を利用して顕微鏡像を取得し、得られた像を基に加工する領域を指定して、該加工領域にイオンビームを選択的に照射して試料を加工する集束イオンビーム装置を利用した微細試料の加工方法であって、 イオンビーム照射により、ビーム照射方向と概ね平行に断面を形成し、 ビーム照射方向から、該断面部位が含まれる領域に短冊状の加工領域を設定し加工し、 加工中の二次粒子像を少なくとも短冊形状の短辺方向を拡大するように表示し、拡大表示された二次粒子像により断面構造を判断し、所望の断面に達していれば加工を終了し、達していなければ短冊形状の加工領域を断面方向に移動して、所望の断面が得られるまでこれを繰り返す方法。
IPC (4件):
G01N 1/28 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/317
FI (5件):
G01N1/28 G ,  G01N1/28 F ,  G01N23/04 ,  G01N23/225 ,  H01J37/317 D
Fターム (16件):
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001HA13 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA04 ,  2G052AA13 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  2G052GA34 ,  2G052GA35 ,  5C034DD09
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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