特許

J-GLOBAL ID：200903087047930573

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  中島 睦雄 ,  橘 誠一郎 ,  船津 顕之
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-021562
公開番号（公開出願番号）：特開2002-317016
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(R1、R2はH又はCH3、R3、R4はH又は1価の炭化水素基、R5〜R8はH、OH又は1価の炭化水素基、R9、R10はH又はCH3、R11〜R14はH又は1価の炭化水素基、R15はH、CH3又はCH2CO2R17、R16はH、CH3又はCO2R17、R17はアルキル基、R18はH又は1価の炭化水素基、R19は1価の炭化水素基、R20はアルキル基、R21は酸不安定基、x1、x2、x3、a、b、cは0以上の数、dは0を超える数で、x1、x2、x3が同時に全て0となることはない。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れている。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基を示す。R3、R4は水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R3とR4は結合して環を形成してもよく、その場合にはR3とR4で炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。R5〜R8は水素原子、水酸基又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示し、R5〜R8のうち少なくとも1つはヘテロ原子を含む。R5〜R8の任意の2つが結合して環を形成してもよく、その場合には環形成に関わる2つで炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。R9、R10は水素原子又はメチル基を示す。R11〜R14は水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R11とR12、R11又はR12とR13、R11又はR12とR14、R13とR14は結合して環を形成してもよく、その場合には各組み合わせで炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。R15は水素原子、メチル基又はCH2CO2R17を示す。R15'は水素原子、メチル基又はCH2CO2R17'を示す。R15''は水素原子、メチル基又はCH2CO2R17''を示す。R15'''は水素原子、メチル基又はCH2CO2R17'''を示す。R16は水素原子、メチル基又はCO2R17を示す。R16'は水素原子、メチル基又はCO2R17'を示す。R16''は水素原子、メチル基又はCO2R17''を示す。R16'''は水素原子、メチル基又はCO2R17'''を示す。R17、R17'、R17''、R17'''はR15とR16、R15'とR16'、R15''とR16''、R15'''とR16'''で共通しても異なってもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R18は水素原子又は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示す。R19は炭素数2〜15のエーテル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも1種の部分構造を含有する1価の炭化水素基を示す。R20は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R21は酸不安定基を示す。kは0又は1である。x1、x2、x3、a、b、c、dは各繰り返し単位のモル組成比を示し、x1、x2、x3、a、b、cは0以上の数、dは0を超える数で、x1、x2、x3が同時に全て0となることはなく、x1+x2+x3+a+b+c+d=1を満足する。)

IPC (5件)：

C08F216/16 ,  C08F220/18 ,  C08F234/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F216/16 ,  C08F220/18 ,  C08F234/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (39件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  4J100AE02Q ,  4J100AE09Q ,  4J100AF15Q ,  4J100AJ02R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AR32Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA39 ,  4J100FA03 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• フォトレジスト組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-583242   出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-249273   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363804   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369711   出願人：信越化学工業株式会社
• フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-231615   出願人：現代電子産業株式会社