特許
J-GLOBAL ID：200903087048579519

半導体装置、メモリシステムおよび電子機器

発明者：
唐澤 純一

唐澤 純一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032450
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237533
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの小型化が可能なSRAMを提供すること。【解決手段】 SRAMのメモリセルは、フィールドの上方に5層の導電層を有する構造をしている。フリップフロップは、第1層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第2層導電層に位置する二つのドレイン-ドレイン接続層、第3層導電層に位置する二つのドレイン-ゲート接続層により構成される。第4層導電層には、ビット線用局所配線層51a、/ビット線用局所配線層51bが位置している。第5層導電層には、ビット線61a、/ビット線61bが位置している。ビット線61aはビット線用局所配線層51aを介して転送トランジスタQ1と接続される。/ビット線61bは/ビット線用局所配線層51bを介して転送トランジスタQ2と接続される。
請求項（抜粋）：
第1負荷トランジスタ、第2負荷トランジスタ、第1駆動トランジスタ、第2駆動トランジスタ、第1転送トランジスタおよび第2転送トランジスタを含むメモリセルを備える半導体装置であって、(a)第1方向に延びており、かつ、前記第1および第2負荷トランジスタが形成される、第1活性領域と、(b)第1方向に延びており、かつ、前記第1および第2駆動トランジスタ、前記第1および第2転送トランジスタが形成される、第2活性領域と、(c)第2方向に延びており、かつ、前記第1および第2活性領域の上層である第1層導電層に位置し、かつ、前記第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1転送トランジスタのゲート電極を含む、第1ワード線と、(d)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第2転送トランジスタのゲート電極を含む、第2ワード線と、(e)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第1および第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1ワード線と前記第2ワード線との間に位置し、かつ、前記第1負荷トランジスタおよび前記第1駆動トランジスタのゲート電極を含む、第1ゲート-ゲート電極層と、(f)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第1および第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1ワード線と前記第2ワード線との間に位置し、かつ、前記第2負荷トランジスタおよび前記第2駆動トランジスタのゲート電極を含む、第2ゲート-ゲート電極層と、(g)第1方向に延びるパターンを有し、かつ、前記第1層導電層の上層に位置し、かつ、前記第1転送トランジスタと接続する、ビット線と、(h)第1方向に延びるパターンを有し、かつ、前記ビット線と同じ層に位置し、かつ、前記第2転送トランジスタと接続する、/ビット線と、(i)第2方向に延びるパターンを有し、かつ、前記ビット線および前記/ビット線の下層に位置し、かつ、前記ビット線と前記第1転送トランジスタとの接続に用いられる、ビット線用局所配線層と、(j)第2方向に延びるパターンを有し、かつ、前記ビット線用局所配線層と同じ層に位置し、かつ、前記/ビット線と前記第2転送トランジスタとの接続に用いられる、/ビット線用局所配線層と、を備える、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  G11C 11/41 ,  H01L 27/10 461
FI (3件)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 381 ,  G11C 11/34 345
Fターム (30件)：
5B015JJ11 ,  5B015JJ31 ,  5B015KA13 ,  5B015KA28 ,  5B015KA38 ,  5B015PP02 ,  5B015QQ01 ,  5F083BS05 ,  5F083BS17 ,  5F083BS27 ,  5F083BS47 ,  5F083BS48 ,  5F083GA09 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083KA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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