特許
J-GLOBAL ID：200903069927740988

半導体装置、メモリシステムおよび電子機器

発明者：
唐澤 純一

唐澤 純一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032376
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237532
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの小型化が可能なSRAMを提供すること。【解決手段】 SRAMのメモリセルは、フィールドの上方に5層の導電層を有する構造をしている。フリップフロップは、第1層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第2層導電層に位置するドレイン-ドレイン接続層31a、31b、第3層導電層に位置するドレイン-ゲート接続層41a、41bにより構成される。二つのゲート-ゲート電極層はI字型のパターンを有し、ドレイン-ドレイン接続層31aはI字型のパターンを有し、ドレイン-ドレイン接続層31bはL字型のパターンを有し、ドレイン-ゲート接続層41aはL字型のパターンを有し、ドレイン-ゲート接続層41bはコ字型のパターンを有する。
請求項（抜粋）：
第1負荷トランジスタ、第2負荷トランジスタ、第1駆動トランジスタ、第2駆動トランジスタ、第1転送トランジスタおよび第2転送トランジスタを含むメモリセルを備える半導体装置であって、(a)第1方向に延びており、かつ、前記第1および第2負荷トランジスタが形成される、第1活性領域と、(b)第1方向に延びており、かつ、前記第1および第2駆動トランジスタ、前記第1および第2転送トランジスタが形成される、第2活性領域と、(c)第2方向に延びており、かつ、前記第1および第2活性領域の上層である第1層導電層に位置し、かつ、前記第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1転送トランジスタのゲート電極を含む、第1ワード線と、(d)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第2転送トランジスタのゲート電極を含む、第2ワード線と、(e)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第1および第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1ワード線と前記第2ワード線との間に位置し、かつ、前記第1負荷トランジスタおよび前記第1駆動トランジスタのゲート電極を含む、第1ゲート-ゲート電極層と、(f)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層に位置し、かつ、前記第1および第2活性領域と平面的に見て交差して位置し、かつ、前記第1ワード線と前記第2ワード線との間に位置し、かつ、前記第2負荷トランジスタおよび前記第2駆動トランジスタのゲート電極を含む、第2ゲート-ゲート電極層と、(g)第2方向に延びており、かつ、前記第1層導電層の上層である第2層導電層に位置し、かつ、前記第1負荷トランジスタのドレインと前記第1駆動トランジスタのドレインとを接続する、第1ドレイン-ドレイン接続層と、(h)第2方向に延びており、かつ、前記第2層導電層に位置し、かつ、前記第2負荷トランジスタのドレインと前記第2駆動トランジスタのドレインとを接続する、第2ドレイン-ドレイン接続層と、(i)前記第2層導電層の上層である第3層導電層に位置し、かつ、前記第1ドレイン-ドレイン接続層と前記第2ゲート-ゲート電極層とを接続する、第1ドレイン-ゲート接続層と、(j)前記第3層導電層に位置し、かつ、前記第2ドレイン-ドレイン接続層と前記第1ゲート-ゲート電極層とを接続する、第2ドレイン-ゲート接続層と、を備える、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 27/10 381 ,  H01L 21/90 A
Fターム (35件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033RR04 ,  5F033UU05 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F083BS05 ,  5F083BS27 ,  5F083BS48 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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