特許
J-GLOBAL ID：200903087060930906
半導体ウェーハ及び半導体ウェーハ製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092737
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200635
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】IDマークの高い視認性を維持でき、半導体装置の製造工程の一貫した生産管理が可能となる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】相対向する第1及び第2主面12a、12bと、第1及び第2主面12a、12bの外周部にそれぞれ設けられた第1及び第2ベベル部13a、13bと、第1ベベル部13aの一部分に形成された第1の窪み16と、第1の窪みの底面に付され、突起形状の第1ドットで構成された第1のIDマーク17とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
相対向する第1及び第2主面と、
前記第1及び第2主面の外周部に、それぞれ形成された第1及び第2ベベル部と、
前記第1ベベル部の一部分に設けられた第1の窪みと、
前記第1の窪みの底面に付され、突起形状の第1ドットで構成された第1のIDマーク
とを備えることを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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