特許
J-GLOBAL ID：200903087063882082
パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小島 清路
, 萩野 義昇
, 谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134493
公開番号（公開出願番号）：特開2008-287176
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。【解決手段】本反転パターン形成方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、パターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備えるものであって、パターン反転用樹脂組成物は、ポリシロキサン及び有機溶剤を含有し、且つポリシロキサンは、[R1aSiX4-a](R1は炭素数1〜3のアルキル基、Xは塩素原子又は-OR2、R2は炭素数1〜4のアルキル基、aは1〜3の整数である)で表される1種又は2種以上の化合物を加水分解及び/又は縮合させて得られたものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
〔1〕被加工基板上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
〔2〕前記フォトレジストパターンのパターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、
〔3〕前記フォトレジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備える反転パターン形成方法であって、
前記パターン反転用樹脂組成物は、ポリシロキサン及び有機溶剤を含有しており、且つ前記ポリシロキサンは下記一般式(1)で表される1種又は2種以上の化合物を加水分解及び/又は縮合させて得られたものであることを特徴とする反転パターン形成方法。
R1aSiX4-a (1)
〔式(1)中、R1は炭素数1〜3のアルキル基を示し、Xは塩素原子又は-OR2を示し、R2は炭素数1〜4のアルキル基を示し、aは1〜3の整数である。〕
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA05
, 2H096HA07
, 2H096HA30
, 2H096JA04
, 2H096LA06
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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