特許
J-GLOBAL ID:200903087093761336
半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-151228
公開番号(公開出願番号):特開平11-346027
出願日: 1998年06月01日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子、特に、短波長光素子を有する半導体チップを基板に高精度に実装できるようにする。【解決手段】 サファイアよりなる基板上に形成されたGaN系半導体よりなるLD素子を有するLDチップ15を微動ステージ16の真空チャック17を用いて吸着しながら、基板12のチップ固着領域の上に搬送する。その後、LDチップ15を第1のTVカメラ13Aを用いてLDチップ15に対する基板12の反対側から観測し、例えば、LDチップ15のストライプパターン及び基板12の配線パターンからの反射光を観測しながら、ストライプパターンが配線パターンに対して所定位置となるように、LDチップ15と基板12のチップ固着領域との位置合わせを行なう。
請求項(抜粋):
表面に半導体素子を有する第1基板を第2基板の第1基板固着領域に固着する半導体装置の製造方法であって、前記第1基板の表面又は裏面に第1パターンを形成すると共に、前記第2基板の前記第1基板固着領域に第2パターンを形成するパターン形成工程と、前記第1基板を前記第2基板の前記第1基板固着領域の上に搬送する搬送工程と、前記第1基板を透過可能な透過光を前記第1基板の上方から前記第1基板及び第2基板に入射させ、前記第1パターン及び第2パターンからの反射光を前記透過光の入射側から観測しながら、前記第1パターンが前記第2パターンに対して所定位置となるように、前記第1基板と前記第2基板の前記第1基板固着領域との位置合わせを行なう位置合わせ工程と、位置合わせされた第1基板を前記第2基板の前記第1基板固着領域に載置した後、前記第1基板と前記第2基板とを互いに固着する固着工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許: