半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367043
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286507
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】量子井戸を活性層5とする半導体レーザ素子において、ノンドープ光ガイド層6とp型クラッド層8との間にアンドープの薄いスペーサ層7を設ける。スペーサ層7の層厚は好ましくは5nm以上10nm未満である。このスペーサ層7がp型クラッド層8から拡散してくる不純物を吸収するので、光ガイド層6への不純物拡散が防止できる。

請求項（抜粋）：

1対のクラッド層に挟まれた量子井戸活性層と、前記クラッド層の少なくとも一方と、量子井戸活性層との間に配置された光ガイド層とを備えた半導体レーザ素子において、前記光ガイド層と前記少なくとも一方のクラッド層との間に、アンドープのスペーサ層を設けてなることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (15件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA52 , 5F073AA53 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073BA01 , 5F073BA05 , 5F073CA05 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-254618 出願人：日本電気株式会社
半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-070446 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220212 出願人：三洋電機株式会社

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