特許
J-GLOBAL ID:200903087120649497

面発光レーザー素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-000494
公開番号(公開出願番号):特開2006-190752
出願日: 2005年01月05日
公開日(公表日): 2006年07月20日
要約:
【課題】 半導体基板上にメサ構造を有する面発光レーザ素子(VCSEL)において、メサ構造等を保護し、VCSEL全体の信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体基板上に、下部反射鏡と、第2クラッド層と、活性層と、第1クラッド層と、上部反射鏡とが積層され、第2クラッド層と活性層と第1クラッド層と上部反射鏡は、半導体材料からなり、メサ構造として加工されており、上部反射鏡上に第1オーミック電極が形成されている面発光レーザー素子において、前記メサ構造の周辺には、保護部材が設けられ、該保護部材は、前記メサ構造と同様の半導体材料からなる構造上に、有機材料からなる保護層が形成されて構成され、該保護部材の高さは、前記上部反射鏡上に形成されている第1オーミック電極の上面よりも高いものとなっている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体基板上に、下部反射鏡と、第2クラッド層と、活性層と、第1クラッド層と、上部反射鏡とが積層され、第2クラッド層と活性層と第1クラッド層と上部反射鏡は、半導体材料からなり、メサ構造として加工されており、上部反射鏡上にオーミック電極が形成されている面発光レーザー素子(VCSEL)において、前記メサ構造の周辺には、保護部材が設けられ、該保護部材は、前記メサ構造と同様の半導体材料からなる構造上に、有機材料からなる保護層が形成されて構成され、該保護部材の高さは、前記上部反射鏡上に形成されているオーミック電極の上面よりも高いものとなっていることを特徴とする面発光レーザー素子。
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (11件):
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC52 ,  5F173AH03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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