特許
J-GLOBAL ID：200903087120827336
SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須藤 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-250301
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】SiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法及び該方法により得られる高温相のSiCヘテロエピタキシャル薄膜を提供する。【解決手段】レーザアブレーション法によりSiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法であって、SiCの単結晶体又は多結晶体のターゲットにパルスレーザを照射して蒸発させ、続いて、加熱した単結晶又は結晶性薄膜基板の上に堆積させることにより成膜を行う際に、レーザパルスの周波数を変化させることにより加熱した基板の表面の実効温度を目的とする多形のヘテロエピタキシャル温度まで上昇させて低温相から高温相の任意の多形のSiCエピタキシャル薄膜を作り分けることを特徴とするSiCエピタキシャル薄膜の多形の作製方法、及び該方法で作製した高温相のSiCエピタキシャル薄膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
SiCエピタキシャル薄膜の多形を作り分ける方法であって、真空雰囲気中でSiCのターゲットにパルスレーザ光を照射してターゲットを蒸発させ、それを加熱した単結晶又は結晶性基板の上に堆積させることによりSiC薄膜を作製する際に、所定の基板温度に対してレーザ周波数を変化させることにより加熱した基板の表面の実効温度を目的とする多形のヘテロエピタキシャル温度まで上昇させて低温相から高温相の任意の多形のSiCエピタキシャル薄膜を作り分けることを特徴とするSiCエピタキシャル薄膜の多形の作製方法。
IPC (5件)：
C30B29/36
, C23C14/06
, C23C14/28
, C30B23/06
, H01L21/203
C30B29/36 A
, C23C14/06 E
, C23C14/28
, C30B23/06
, H01L21/203 Z
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA03
, 4G077HA06
, 4K029BA56
, 4K029BB09
, 4K029BD01
, 4K029DB20
, 4K029DC01
, 4K029DC05
, 4K029EA00
, 5F103AA10
, 5F103DD17
, 5F103GG01
, 5F103HH10
, 5F103LL20
, 5F103NN10
, 5F103RR10
