特許
J-GLOBAL ID：200903087153157409

半導体装置およびその作製方法

発明者：
大谷 久

大谷 久 について

, 
仲沢 美佐子

仲沢 美佐子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について

, 
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207354
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056485
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置において、一対の透明導電膜を電極に用いた保持容量を改善する。【解決手段】 樹脂でなる平坦化膜103の上に第1透明導電膜104と容量用絶縁膜105とを積層形成し、この積層膜に開口部106を形成する。開口部106付近を覆う絶縁膜107を形成する。透明導電膜を形成しパターニングして、画素電極108を形成する。第1透明導電膜104と画素電極108とで容量用絶縁膜105を挟み込んだ構造の保持容量109が形成される。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された複数の画素TFTと該複数の画素TFTの各々に接続された保持容量とを有する半導体装置であって、第1開口部を有する第1透明導電膜と、前記第1透明導電膜を覆い、且つ前記第1開口部よりも内側に第2開口部を有する容量用絶縁膜と、前記第2開口部を覆い、且つ前記画素TFTの上方にパターン形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜及び前記容量用絶縁膜に接して形成された第2透明導電膜と、を有し、 前記保持容量は前記第1透明導電膜、前記容量用絶縁膜及び前記第2透明導電膜を積層した構造からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 613 Z
Fターム (70件)：
2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092JB52 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB69 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092KB04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA09 ,  2H092QA07 ,  2H092QA14 ,  2H092RA05 ,  5F110AA09 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN80 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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