特許

J-GLOBAL ID：200903087199420015

積層構造、配線構造、その製造方法、及び半導体装置

発明者： 武石 俊作
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180918
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021873
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 無機材料を主成分とする層と有機層との密着性を高めることができる積層構造を提供する。【解決手段】 主表面を有する基板の主表面上に第1の層が配置されている。第1の層の上に接着層が配置されている。接着層は、Siを含むフルオロカーボンで形成されている。接着層の上に第2の層が配置されている。第1及び第2の層のうち一方の層が、Siを含む無機物を主成分とする材料、金属、及び無機金属化合物からなる群より選ばれた1つの材料で形成されており、他方の層が有機絶縁膜で形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する基板と、前記主表面上に配置された第1の層と、前記第1の層の上に配置され、Siを含むフルオロカーボンで形成された接着層と、前記接着層の上に配置された第2の層とを有し、前記第1及び第2の層のうち一方の層が、Siを含む無機物を主成分とする材料、金属、及び無機金属化合物からなる群より選ばれた1つの材料で形成されており、他方の層が有機絶縁膜で形成されている積層構造。

Fターム (27件)：

5F058AA08 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AD12 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BF34 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095159   出願人：ソニー株式会社
• 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173771   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 絶縁膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087832   出願人：富士通株式会社
• 低誘電率絶縁膜とその形成方法、及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205648   出願人：富士通株式会社