特許
J-GLOBAL ID：200903087202020171

イメージセンサー及びその製造方法

発明者：
ワン、ジュン

ワン、ジュン について


出願人/特許権者：
ドンブ ハイテック カンパニー リミテッド

ドンブ ハイテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-229042
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117802
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】フォトダイオードと読み出し回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】読み出し回路120が形成されたピクセル部及び周辺回路が形成された周辺部を含む第1基板100と、前記読み出し回路120及び周辺回路と繋がるように前記第1基板100上に形成された配線150及び層間絶縁層160と、前記ピクセル部に対応する前記層間絶縁層160上に形成された結晶型半導体層200と、前記結晶型半導体層200に形成されて素子分離トレンチによって配線とそれぞれ繋がるフォトダイオード205と、第1基板100に形成された電気接合領域140を含む。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
読み出し回路が形成されたピクセル部及び周辺回路が形成された周辺部を含む第1基板と、前記読み出し回路及び周辺回路と繋がるように前記第1基板上に形成された配線及び層間絶縁膜と、 前記ピクセル部に対応する前記層間絶縁膜上に形成された結晶型半導体層と、 前記結晶型半導体層に形成されて素子分離トレンチにより配線とそれぞれ繋がる第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードと、 前記素子分離トレンチを含む結晶型半導体層上に形成された素子分離膜と、 前記素子分離膜を貫いて前記第1フォトダイオードと部分的に繋がる上部電極層と、 前記第1フォトダイオードの上部領域が選択的に露出されるように前記上部電極層に形成された露出部と、 前記露出部を含む第1基板上に配置された保護膜を含むイメージセンサー。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 E
Fターム (12件)：
4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CB01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA32 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04
引用特許：
審査官引用 (20件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM