特許
J-GLOBAL ID：200903087243159443
有機EL素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-229352
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049125
出願日： 2004年08月05日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 レーザー加工で上部電極を分離する際に発生する電極の加工片の再付着による短絡を防止できるような有機EL素子、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 上部電極表面の少なくともレーザー加工される部分にフッ化膜が形成されている有機EL素子。レーザー加工時に発生する加工片を帯電体に静電吸着させて集塵する工程を含む有機EL素子の製造方法。上部電極および下部電極を短絡させるショートパタンが形成されている有機EL素子の中間製造物。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、ストライプ状に形成された下部電極と、少なくとも有機発光層を含む有機EL層と、上部電極と、上部電極表面の少なくともレーザー加工される部分に形成された誘電体膜とを含む有機EL素子であって、
前記誘電体膜が、フッ化膜であることを特徴とする有機EL素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
