特許

J-GLOBAL ID：200903087319153318

ポジ型レジスト組成物

発明者： 水谷 一良 ,  漢那 慎一
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086459
公開番号（公開出願番号）：特開2003-280205
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が著しく軽減されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大するフッ素含有樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)溶剤、及び(D)少なくともひとつのカルボキシル基を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)〜(VI)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくともひとつの繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)溶剤、及び(D)少なくともひとつのカルボキシル基を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】【化2】【化3】式(I)及び(II)において、mは0又は1を表す。式(I)及び(IV)〜(VI)において、Xは、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(I)において、R11〜R16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。式(II)において、R3は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(III)において、R4は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(IV)において、R21〜R32は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。式(V)及び(VI)において、R1及びR2は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。R41〜R46及びR51〜R56は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、R41〜R46のうちの少なくとも一つ及びR51〜R56のうちの少なくとも1つは水素原子ではない。nは1〜5の整数を表す。【0001】

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F210/14 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F210/14 ,  C08F212/14 ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (44件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AA20T ,  4J100AB07T ,  4J100AL24R ,  4J100AL26R ,  4J100AL26S ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04S ,  4J100BA04T ,  4J100BA07P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA22P ,  4J100BB17S ,  4J100BB17T ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC43R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375504   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124021   出願人：信越化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108824   出願人：ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-029257   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144437   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265557   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312670   出願人：日本ゼオン株式会社