特許
J-GLOBAL ID：200903087320641199
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009429
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215679
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】ページバッファを利用して効率良く高速にデータを書き込むことができる半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、第1記憶手段よりも書き込み動作が高速な第2記憶手段が設けられており、この第2記憶手段は所謂ダブルバッファやリングバッファを構成し、一時記憶に利用される。高速動作する第2記憶手段への一時記憶のための書き込みを終えた時点においてCPUを速やかに解放できるようになり、CPUから見れば第1記憶手段に対するデータ書き込みは高速なものとなる。
請求項（抜粋）：
第1記憶手段と、前記第1記憶手段よりも書き込み動作が高速であって、ページ単位で順番に書き込まれたデータを一時的に記憶する少なくとも2つ以上の第2記憶手段と、前記第2記憶手段に書き込まれたページ単位のデータを、先に書き込まれたものから順番に読み出して前記第1記憶手段に書き込む手段と、を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (6件)：
5B025AA00
, 5B025AB00
, 5B025AC00
, 5B025AD00
, 5B025AD04
, 5B025AE05
