半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173169
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極とゲート絶縁膜との界面の信頼性や制御性を向上させ、ゲート電極を精度よく加工することを可能とする。【解決手段】半導体基板21上のゲート絶縁膜22上に導電性金属酸化物膜23を形成する工程と、この導電性金属酸化物膜23上に金属膜24を形成する工程と、この金属膜24を導電性金属酸化物膜23に対して選択的にエッチングして導電性金属酸化物膜24を露出させる工程と、この露出した導電性金属酸化物膜23をゲート絶縁膜22に対して選択的にエッチングする工程とにより、MOSトランジスタのゲート電極を形成する。

請求項（抜粋）：