特許
J-GLOBAL ID：200903087339953000

電界効果型磁気抵抗効果素子およびこれを利用した電子素子

発明者：
小野木 敏之

小野木 敏之 について

, 
市村 雅彦

市村 雅彦 について

, 
橋詰 富博

橋詰 富博 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176293
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012068
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】磁気記録密度の飛躍的な向上に対応して磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化率(MR比)および外部磁場に対する応答感度を大きくすること。【解決手段】電界によるキャリア(ホール)ドーピングが可能な基板を用い、当該基板上に平面上にパターン化された絶縁体を積層した後、その上部にゲート電極を形成したFET構造を作製することにより、上記基板に空間的に変調した非一様電界を印加して第1の強磁性領域、非磁性領域および第2の強磁性領域を誘起させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電界ドーピング可能な材料よりなる基板、該基板の一表面に設けられた絶縁層、該絶縁層の他面に設けられたゲート電極よりなり、前記基板とゲート電極との間隔が基板の位置により異なるようになされて前記基板に非一様電界を作用させたとき、前記基板に第1の強磁性領域/非磁性領域/第2の強磁性領域が形成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105
FI (4件)：
H01L43/08 S ,  G11C11/15 110 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R
Fターム (9件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM