特許

J-GLOBAL ID：200903087346486701

単結晶インゴットの外形加工方法

発明者： 矢代 弘克 ,  大谷 昇 ,  星野 泰三 ,  藤本 辰雄 ,  藍郷 崇 ,  勝野 正和 ,  柘植 弘志 ,  澤村 充 ,  中林 正史 ,  巽 宏平
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-267447
公開番号（公開出願番号）：特開2007-075951
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 本発明は、硬脆性材料で且つ導電性のある良質の大口径単結晶インゴットに機械的ダメージを与えることなくインゴットの外形加工する方法を提供する。【解決手段】 ワイヤー放電加工機を用いて、導電性溶液中で電流を流し、ワイヤーを繰り出しながらほぼ円筒形の所望の形状にインゴットの外周をワイヤーで除去することによって、インゴットの外形を加工する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性のある単結晶インゴットを比抵抗2MΩ・cm以下の導電性溶液中でワイヤーを用いたワイヤー放電加工機によって外形加工することを特徴とする単結晶インゴットの外形加工方法。

IPC (1件)：

B23H 9/00

FI (1件)：

B23H9/00 Z

Fターム (3件)：

3C059AA01 ,  3C059AB05 ,  3C059HA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン単結晶インゴットの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-257529   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-354200   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭61-146422
  
• 炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182381   出願人：HOYA株式会社
• 放電加工用電極線及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-140877   出願人：日立電線株式会社