特許
J-GLOBAL ID：200903087370603484
半導体モジュール
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-253140
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073655
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 放熱性の向上、インピーダンスの低減及び小型化が可能な半導体モジュールを提供すること。【解決手段】 半導体モジュール1において、パワーMOSチップ5,7が、フリップチップボンディングにより実装部材3に実装されている。チップ5は、その表面にドレイン電極29及びゲート31が形成され、その裏面にソース電極33が形成されている。チップ7は、その表面にソース電極35及びゲート37が形成され、その裏面にドレイン電極39が形成されている。電気伝導兼放熱部材45は、チップ5のソース電極33とチップ7のドレイン電極39とを電気的に接続すると共にこれらのチップ5,7の裏面を覆うように配置されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
実装部材と、
ドレイン電極及びゲートが形成された表面並びにソース電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1の半導体チップと、
ソース電極及びゲートが形成された表面並びにドレイン電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第2の半導体チップと、
IPC (4件)：
FI (3件)：
Fターム (4件)：
引用特許：
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