特許
J-GLOBAL ID：200903087443739177

半導体装置及びその製造方法

発明者：
谷本 智

谷本 智 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310936
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128191
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】複数の不純物領域を互いに自己整合させてセルサイズの縮小化及び高性能化を達成する。【解決手段】基板の表面上に開口を有する第1の無機材マスク21a、21bを介して基板へ第1導電型の不純物をイオン注入して、開口により外縁境界A3-B3が定義された第1の不純物領域3a、3bを形成し、開口の側壁に均一な幅を有する第2の無機材マスク22a、22bを介して基板へ第2導電型の不純物を選択的にイオン注入して、第2の無機材マスクにより外縁境界A4-B4が定義された第2の不純物領域中間体23を形成し、第2の無機材マスクの側壁に均一な幅を有する第3の無機材マクス24a、24bを介して基板に対して選択的に異方性エッチングを行って第2の不純物領域中間体の一部を除去することにより、第3の無機材マスクにより内縁端A5-B5が定義された第2の不純物領域を形成する。【選択図】図2-1
請求項（抜粋）：
基板の主面に対して垂直な1切断面において、 前記基板の主面に露出し、互いに等しい幅を有する1対の第1の等幅帯を備える第1導電型の第1の不純物領域と、 前記基板の主面に露出し、互いに等しい幅を有し、且つ前記1対の第1の等幅帯に内接する1対の第2の等幅帯を備える第2導電型の第2の不純物領域 とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/336
FI (12件)：
H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G
Fターム (10件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD84 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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