横形絶縁ゲート型トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168843
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004023
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】サージ耐量を向上させることができる横形絶縁ゲート型トランジスタを提供する。【解決手段】n+ シリコン基板2における一表面にソース形成領域Z1とドレイン形成領域Z2が区画され、ソース形成領域Z1での表層部にセル毎にpベース領域10が多数形成され、各ベース領域10での表層部にn+ ソース領域11が形成され、基板2でのベース領域10の一部領域の上にゲート酸化膜8を介してポリシリコンゲート電極9が配置されている。ドレイン形成領域Z2とソース形成領域Z1との間における基板2上にLOCOS酸化膜7が配置され、ソース形成領域Z1側端部においてLOCOS酸化膜7の上にゲート配線材9aが配置されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板における一表面に区画されたソース形成領域とドレイン形成領域のうちのソース形成領域の表層部にセル毎に多数形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域での表層部に形成された第1導電型のソース領域と、前記半導体基板での少なくとも前記ベース領域の一部領域に対しゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、前記ベース領域の一部領域およびソース領域の一部領域と接するように配置されたソース電極と、を備えた横形絶縁ゲート型トランジスタであって、前記ドレイン形成領域とソース形成領域との間における半導体基板上の絶縁膜のソース形成領域側端部の膜厚をゲート絶縁膜よりも厚くし、その上にゲート配線材を配置したことを特徴とする横形絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 622 , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 N

Fターム (8件)：

5F040DA22 , 5F040DA23 , 5F040DB06 , 5F040DC01 , 5F040EA00 , 5F040EB01 , 5F040EB12 , 5F040EB14

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-308504 出願人：日本電気株式会社, 日産自動車株式会社
特開昭64-020666
特開昭61-084865

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