特許
J-GLOBAL ID：200903087524289966

多層配線基板の製造方法、電子デバイス及び電子機器

発明者：
塩谷 悦子

塩谷 悦子 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156141
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340437
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 導体ポストの高さ制御を可能にした多層配線基板の製造方法と、これによって得られた多層配線基板を有してなる電子デバイス及び電子機器を提供する。【解決手段】 基板10上に少なくとも2層の配線層と、配線層間に設けられた層間絶縁膜と、配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法である。基板10上に導体ポストの一部13(15)と層間絶縁膜の一部14(16)とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第1の処理と、第1の処理の後、導体ポストの一部と層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第2の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すことにより、導体ポストと層間絶縁膜とを形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも2層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板の製造方法であって、 前記基板上に前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部とのいずれか一方を液滴吐出法で形成する第1の処理と、第1の処理の後、前記導体ポストの一部と前記層間絶縁膜の一部との他方を液滴吐出法で形成する第2の処理とを有する配線間処理工程を、複数回繰り返すことにより、前記導体ポストと前記層間絶縁膜とを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K3/46 ,  H05K3/10
FI (3件)：
H05K3/46 N ,  H05K3/46 T ,  H05K3/10 D
Fターム (20件)：
5E343AA18 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343ER47 ,  5E343FF05 ,  5E343GG11 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC10 ,  5E346CC31 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346FF45 ,  5E346GG06 ,  5E346GG07 ,  5E346HH07 ,  5E346HH32 ,  5E346HH33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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