特許
J-GLOBAL ID：200903087602940857

窒化物半導体およびその作製方法

発明者：
牧本 俊樹

牧本 俊樹 について

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熊倉 一英

熊倉 一英 について

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小林 直樹

小林 直樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296099
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119013
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 室温において1×1018cm-3以上の高い正孔濃度を持つp型の窒化物半導体を提供すること。【解決手段】 In,Ga,Mgをそれぞれ含んだ有機金属とアンモニアガスを原料ガスとし、窒素ガスをキャリアガスとした有機金属気相成長法を用いて、サファイア基板1上に550°Cにて成長させた20nmのAlNバッファー層2を設け、AlNバッファー層2上に1000°Cにて成長させた1100nmのGaNバッファー層3を設け、GaNバッファー層3上に成長温度を780°Cとして成長させ、窒素雰囲気において500°C以上での熱処理を行って成長中にInGaN内に取りこまれた水素原子を取り出したMgドープInGaN層4を設けたP型の窒化物半導体である。
請求項（抜粋）：
Mg原子濃度を1×1019cm-3程度ドーピングしたGaN層に、III 族原子の組成比で3%以上のIn原子を混入させ、室温における正孔キャリア濃度が1×1018cm-3以上となるように構成したことを特徴とするp型の窒化物半導体。
IPC (3件)：
H01L 29/201 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C23C 16/34 ,  H01L 33/00 L ,  H01L 29/201
Fターム (27件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92
引用特許：
審査官引用 (4件)
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