特許

J-GLOBAL ID：200903087666260639

マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体

発明者： 茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  堀野 裕治 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-081782
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255507
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【解決課題】 マイクロ波プラズマCVD装置を用いて、ダイヤモンドを高速で成長させることができる手段を提供する。【解決手段】 マイクロ波プラズマCVD装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部7aを基板支持体の外周縁部7bから離隔した位置に有し、載置部7aが基板支持体の外周縁部7bに対して隆起した形状をなしていることとした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

マイクロ波プラズマCVD装置の反応容器内に配置される基板支持体であって、基板を載置する載置部を該基板支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が該基板支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなしていることを特徴とする前記基板支持体。

IPC (5件)：

C30B29/04 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

FI (5件)：

C30B29/04 E ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EG03 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-188494号公報
  
• ダイヤモンドの合成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-336315   出願人：出光石油化学株式会社

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-369311   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-148426   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開平4-362095