特許
J-GLOBAL ID：200903087726757767

SOI基板の作製方法及び半導体装置の作製方法

発明者：
福永 健司

福永 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106424
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 単結晶半導体薄膜のひび割れや剥がれを生じることなく貼り合わせSOI基板を作製するための技術を提供する。。【解決手段】 単結晶シリコン基板101に選択的に多孔質シリコン層103を形成する。その後、水素イオンを添加して水素添加層105を形成し、支持基板107と貼り合わせる。熱アニールにより分断した後、再度の熱アニールにより貼り合わせ界面の安定化を図る。その後、多孔質シリコン層110を選択的に除去して島状単結晶シリコン層112を得る。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板の主表面に絶縁膜でなるマスクを形成する工程と、陽極化成処理により前記単結晶半導体基板の一部を多孔質層に変化させる工程と、前記マスクを除去する工程と、前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層の主表面に第1酸化物層を形成する工程と、前記第1酸化物層の上から水素を添加し、前記単結晶半導体基板及び多孔質層中に水素添加層を形成する工程と、前記単結晶半導体基板に対して第2酸化物層を設けた支持基板を貼り合わせる工程と、第1熱処理により前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層を前記水素添加層に沿って分断する工程と、前記水素添加層に沿って分断する工程の後、支持基板に対して900〜1200°Cの温度範囲で第2熱処理を行う工程と、前記第2熱処理の後、支持基板の上に存在する多孔質層を除去する工程と、を有することを特徴とするSOI基板の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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