特許
J-GLOBAL ID：200903087742861590
記憶素子の製造方法、記憶装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142829
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319263
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】 情報の記録及び読み出し及び書き込みにおける閾値電圧等の特性のばらつきを抑制して、適正な特性の記憶素子を製造することを可能にする記憶素子の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の電極2及び第2の電極5の間に記憶用薄膜4が挟まれて構成され、この記憶用薄膜4が酸化物層を含んで成り、この記憶用薄膜4内もしくは記憶用薄膜4と接している層に、Ag,Cu,Znから選ばれる、いずれかの元素が含まれている記憶素子10を製造する際に、記憶用薄膜4の界面を大気に露出させることなく、記憶素子10を構成する積層膜2,3,4,5を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電極及び第2の電極の間に、記憶用薄膜が挟まれて構成され、
前記記憶用薄膜が、酸化物層を含んで成り、
前記記憶用薄膜内、もしくは、前記記憶用薄膜と接している層に、Ag,Cu,Znから選ばれる、いずれかの元素が含まれている記憶素子を製造する方法であって、
前記記憶用薄膜の界面を大気に露出させることなく、前記記憶素子を構成する積層膜を形成する
ことを特徴とする記憶素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F083CR15
, 5F083EP00
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA11
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR04
, 5F083PR12
, 5F083PR22
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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