特許

J-GLOBAL ID：200903087763674510

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 橘 誠一郎 ,  渡辺 武 ,  西 恒寛
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182741
公開番号（公開出願番号）：特開2006-002121
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【解決手段】 式(1)及び(2)で示される繰り返し単位をそれぞれ1種以上含む重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。 【化1】[R1、R3はH又はCH3。R4はアルキレン基。R2は式(R2-1)〜(R2-7)から選ばれる酸不安定基。 【化2】(破線は結合位置及び結合方向を示す。R5はアルキル基、R6、R7はアルキル基。Zは結合する炭素原子と共に単環又は架橋環を形成する酸素原子を含んでもよい2価の炭化水素基、mは0又は1。)]【効果】 本発明の高分子化合物は、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として使用されて高い感度、解像性、エッチング耐性を与えると共に、優れた基板密着性、現像液親和性を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)及び(2)で示される繰り返し単位をそれぞれ1種以上含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F 220/18 ,  C08F 220/04 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F220/18 ,  C08F220/04 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (33件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ01Q ,  4J100AJ03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA10Q ,  4J100BA11R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-39665号公報
  

審査官引用 (5件)

• 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-307148   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-107305   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-255167   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-300750   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-210437   出願人：信越化学工業株式会社