特許
J-GLOBAL ID：200903013198175978

ポジ型レジスト組成物

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について

, 
上西 一也

上西 一也 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-303978
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂として2種類の樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂として、下記一般式(Ia)で表される繰り返し単位を含有する樹脂と一般式(Ib)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】式(Ia)及び(Ib)中、R1は独立に水素原子又はアルキル基を表し、Aは連結基を表す。式(Ia)中、R11は炭素数1〜4のアルキル基を表し、Zは炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。式(Ib)中、R12〜R14は、各々独立に炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。
IPC (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/26 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/06 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/26 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/06 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 504 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (61件)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA04 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BG071 ,  4J002CH012 ,  4J002EH047 ,  4J002ER028 ,  4J002EU028 ,  4J002EU036 ,  4J002EU048 ,  4J002EU078 ,  4J002EU128 ,  4J002EU138 ,  4J002EU148 ,  4J002EU186 ,  4J002EU208 ,  4J002EU216 ,  4J002EU238 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002FD317 ,  4J002GP03 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AM21R ,  4J100BA02S ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA16R ,  4J100BA30T ,  4J100BA58R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC07S ,  4J100BC07T ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (10件)
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