特許

J-GLOBAL ID：200903087792607903

発光素子

発明者： 奥 保成 ,  小林 祐二 ,  福田 康彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264972
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081010
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】InGaAlP系半導体を発光部に用いた半導体発光素子において、高輝度かつ高信頼性を実現しうる発光素子を提供する。【解決手段】金属基板と、前記金属基板の上に設けられた第一導電型のInGaAlP系半導体からなる第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上に設けられたInGaAlP系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられた第二導電型のInGaAlP系半導体からなる第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に設けられた第二導電型の半導体からなる電流拡散層と、を備える構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属基板と、前記金属基板の上に設けられたInGaAlP系半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA73 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-212479号公報
  
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160696   出願人：信越半導体株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-157482   出願人：ローム株式会社
• 発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-359563   出願人：信越半導体株式会社, 株式会社アルバック, 株式会社オクテック
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-435468   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102844   出願人：株式会社東芝