特許

J-GLOBAL ID：200903087837225713

ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  金生 剛
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-170142
公開番号（公開出願番号）：特開2008-033287
出願日： 2007年06月28日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分(A)と活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)のアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の脱保護がβ-脱離反応に依らないことを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。【発明の効果】本発明のレジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有しており、精密な微細加工に極めて有用である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分を有する樹脂成分(A)と活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)のアセタール保護基で保護されたカルボン酸部分の脱保護がβ-脱離反応に依らないことを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28

Fターム (37件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA04Q ,  4J100BA20P ,  4J100BB18S ,  4J100BC03S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312722   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-316960   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-143969   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-046285   出願人：富士写真フイルム株式会社