化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256272
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】移動体通信端末のパワーアンプ等に用いる化合物半導体装置に関し、しきい値電圧が高く、また利得も大きい化合物半導体装置を提供する。【解決手段】半絶縁性GaAs基板10と、前記半絶縁性GaAs基板10上に形成されたバッファ層12と、前記バッファ層12上に形成され、InGaAs層である電子走行層14と、前記電子走行層14上に形成され、厚さが10nm程度に薄いAlGaInAs層である緩和層16と、前記緩和層16上に形成され、厚さが20nm程度に薄く、Alの組成比が前記緩和層16より大きいAlGaAs層である障壁層18とを有している。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板と、前記半絶縁性GaAs基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、InGaAs層である電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、厚さが10nm程度に薄いAlGaInAs層である緩和層と、前記緩和層上に形成され、厚さが20nm程度に薄く、Alの組成比が前記緩和層より大きいAlGaAs層である障壁層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-087725 出願人：株式会社東芝
高電子移動度半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-082180 出願人：富士通株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-259545 出願人：株式会社東芝

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