特許
J-GLOBAL ID：200903088006214142

プラズマエッチング方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160964
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031800
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 パターン密度に疎密を有するマスクを用いて被エッチング層をパターニングする場合の、マイクロローディング効果を低減したプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングガスの解離生成物の堆積を側壁保護膜7として用いるとともに、被エッチング基板の温度制御により、側壁保護膜7の堆積確率を低減して、側壁保護膜の厚さを必要最低限に近くしてパターニングを施す。堆積物はイオウまたはポリチアジルである。【効果】 パターン密度によらない、均一な厚さの堆積物が形成されるので、密なパターン領域でのエッチングレートの低下や、疎なパターン領域でテーパ形状化が防止される。エッチング終了後は側壁保護膜を基板加熱により昇華除去するので、パーティクル汚染の虞れがない。
請求項（抜粋）：
エッチングガスの解離生成物による堆積物を側壁保護膜に用いるとともに、パターン密度の疎密を有するマスクを用いて被エッチング層のパターニングを施すプラズマエッチング方法において、該解離生成物の堆積確率の小さいエッチング条件により、パターニングを施すことを特徴とするプラズマエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (6件)
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