特許
J-GLOBAL ID：200903088016442860

III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス

発明者：
弘田 龍

弘田 龍 について

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川瀬 智博

川瀬 智博 について

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吉田 浩章

吉田 浩章 について

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上松 康二

上松 康二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  深見 久郎 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182879
公開番号（公開出願番号）：特開2009-029639
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いIII族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも1種類の金属元素を含有する溶媒とIII族元素とを含む結晶成長用液体2を用いて第1のIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、金属元素の少なくとも1種類を含む結晶処理用液体4中で第1のIII族窒化物結晶10を熱処理する工程と、熱処理がされた第1のIII族窒化物結晶10上に気相法により第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
液相法により、少なくとも1種類の金属元素を含有する溶媒とIII族元素とを含む結晶成長用液体を用いて、第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 前記金属元素の少なくとも1種類を含む結晶処理用液体中で前記第1のIII族窒化物結晶を熱処理する工程と、 前記熱処理がされた前記第1のIII族窒化物結晶上に気相法により第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/02
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C30B9/00 ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 ,  H01S5/02
Fターム (42件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077DB01 ,  4G077EA10 ,  4G077EF03 ,  4G077FE09 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TC10 ,  4G077TC11 ,  4G077TK13 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA73 ,  5F049MB03 ,  5F049NA12 ,  5F049NA13 ,  5F049PA02 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F173AH22 ,  5F173AP02 ,  5F173AP04 ,  5F173AP62 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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