特許
J-GLOBAL ID：200903088087882381
環状構造をもつ縦型共鳴トンネル素子の製造方法及び縦型共鳴トンネル素子並びに磁気検出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柏原 三枝子
, 高橋 剛一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008351
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177291
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】 微小でしかも強磁場下でも高感度に磁気検出ができる縦型共鳴トンネル素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ソース電極12となる金属膜と導電層からなるドレイン電極13との間に変調ドープ構造を持つ柱状半導体11を有し、柱状半導体11のソース電極12とドレイン電極13との間に前記金属膜と略平行な多重障壁層14,15を備え、柱状半導体11の中心軸部分にソース電極12側から有底穴17が形成された縦型共鳴トンネル素子の製造方法において、有底穴17を形成するとき有底穴17の底部が多重障壁層14,15を貫通しない深さにすることにより生じる空乏層によって多重障壁層間の電子閉じ込め領域16が実効的にリング状になる深さにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極となる金属膜と導電層からなるドレイン電極との間に変調ドープ構造を持つ柱状半導体を有し、該柱状半導体の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記金属膜と略平行な多重障壁層を備え、該柱状半導体の中心軸部分に前記ソース電極側から有底穴が形成された縦型共鳴トンネル素子の製造方法において、前記有底穴を形成するとき該有底穴の底部が前記多重障壁層を貫通しない深さにすることにより生じる空乏層によって該多重障壁層間の電子閉じ込め領域が実効的にリング状になる深さにしたことを特徴とする縦型共鳴トンネル素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/80
, H01L 29/66
, G01R 33/09
H01L29/80 A
, H01L29/66 T
, G01R33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD57
, 2G017AD61
, 5F102FB05
, 5F102GB04
, 5F102GC05
, 5F102GC08
, 5F102GC09
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GR07
, 5F102GR09
, 5F102GS03
, 5F102GS08
, 5F102HC01
出願人引用 (3件)
審査官引用 (1件)
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縦型半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-296073
出願人：日本電信電話株式会社
引用文献：
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