III族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000961
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184379
出願日： 2006年01月05日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 GaN基板1のFeドープGaN層14は、遷移金属原子であるFe原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ga原子空孔密度が1×1016cm-3以下である。FeドープGaN層14のFe原子の密度は、5×1017cm-3〜1020cm-3である。また、FeドープGaN層14のFe原子の密度は、FeドープGaN層14中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

少なくとも一種類以上の遷移金属原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、当該窒化物半導体結晶中のIII族原子空孔密度が1×1016cm-3以下であるIII族窒化物半導体結晶。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , C30B 25/02 , C30B 25/18 , H01L 21/20

FI (6件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 D , C30B25/02 Z , C30B25/18 , H01L21/20

Fターム (60件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EH05 , 4G077GA01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB03 , 4G077TC02 , 4G077TC06 , 4G077TH13 , 4G077TJ06 , 4G077TK02 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC13 , 5F045AC20 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA66 , 5F045DP03 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LN03 , 5F152LN32 , 5F152LN35 , 5F152MM04 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP13 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-164892号公報

審査官引用 (4件)

窒化物半導体自立基板及びその製造方法、並びにそれを用いた窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-018884 出願人：日立電線株式会社
窒化ガリウム基板、エピタキシャル基板、および窒化ガリウムを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-075734 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-004142 出願人：住友電気工業株式会社

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