III族窒化物薄膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348199
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】GaN系III族窒化物薄膜の極性を(0001)に制御する。【解決手段】サファイア基板21のサファイアC面28表面に、窒素イオンを照射し、AIN層を形成した後、AlN層表面にGaN系III族窒化物薄膜を形成する。AlN層表面が清浄であれば、GaN系III族窒化物薄膜(0001)が成長する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板のサファイアC面に、Gaを主成分とする金属を用いた分子線エピタキシー法により、GaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させる薄膜形成方法であって、前記サファイア基板の前記サファイアC面に窒素イオンを照射してAIN層を形成した後、前記AlN層表面に前記GaN系III族窒化物薄膜を形成する薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077HA02 , 4G077SC02 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073DA06 , 5F103AA04 , 5F103BB05 , 5F103BB09 , 5F103DD01 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103NN00 , 5F103NN01 , 5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (2件)

窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-093132 出願人：浜松ホトニクス株式会社, ヤマハ株式会社, 石田明広, 藤安洋
窒化物半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-203793 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

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