特許
J-GLOBAL ID：200903088121365987

III族窒化物薄膜の形成方法

発明者：
園田 早紀

園田 早紀 について

, 
清水 三郎

清水 三郎 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348199
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：
【要約】【課題】GaN系III族窒化物薄膜の極性を(0001)に制御する。【解決手段】サファイア基板21のサファイアC面28表面に、窒素イオンを照射し、AIN層を形成した後、AlN層表面にGaN系III族窒化物薄膜を形成する。AlN層表面が清浄であれば、GaN系III族窒化物薄膜(0001)が成長する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板のサファイアC面に、Gaを主成分とする金属を用いた分子線エピタキシー法により、GaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させる薄膜形成方法であって、前記サファイア基板の前記サファイアC面に窒素イオンを照射してAIN層を形成した後、前記AlN層表面に前記GaN系III族窒化物薄膜を形成する薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE08 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103BB05 ,  5F103BB09 ,  5F103DD01 ,  5F103HH04 ,  5F103HH08 ,  5F103NN00 ,  5F103NN01 ,  5F103RR10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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