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J-GLOBAL ID：200902103383786377   整理番号：00A0196582

分子ビームエピタクシー中の格子極性制御によるGaN膜の結晶品質の本質的な変化

Essential Change in Crystal Qualities of GaN Films by Controlling Lattice Polarity in Molecular Beam Epitaxy.

著者 (8件)： SHEN X-Q (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  IDE T (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  CHO S-H (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU M (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  HARA S (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  SONODA S (Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU S (Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 1A/B  ページ： L16-L18  発行年： 2000年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板上にエピタキシャルGaN薄膜を,高...

シソーラス用語： イオン散乱分光法 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• PONCE, F. A. Appl.Phys.Lett. 1996, 69, 337
• HELLMAN, E. S. MRS Internet J.Nitride Semicond.Res. 1998, 3, 11
• ELSASS, C. R. Appl.Phys.Lett. 1999, 74, 3528
• WIDMANN, F. Appl.Phys.Lett. 1998, 73, 2642
• SHEN, X. Q. Jpn.J.Appl.Phys. 1999, 38, L14

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  格子 ,  極性 ,  GaN ,  結晶品質