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J-GLOBAL ID：200902103383786377   整理番号：00A0196582

分子ビームエピタクシー中の格子極性制御によるGaN膜の結晶品質の本質的な変化

Essential Change in Crystal Qualities of GaN Films by Controlling Lattice Polarity in Molecular Beam Epitaxy.

著者 (8件)： SHEN X-Q (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  IDE T (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  CHO S-H (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU M (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  HARA S (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab. (ETL), Ibaraki, JPN) ,  SONODA S (Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU S (Ulvac Japan, Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 1A/B  ページ： L16-L18  発行年： 2000年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板上にエピタキシャルGaN薄膜を,高...

シソーラス用語： イオン散乱分光法 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• 1) F. A. Ponce, D. P. Bour, W. T. Young, M. Saunders and J. W. Steeds: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 337.
• 2) E. S. Hellman: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 11.
• 3) C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3528.
• 4) F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, N. Pelekanos and J. L. Rouviere: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2642.
• 5) X. Q. Shen and Y. Aoyagi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L14.

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  格子 ,  極性 ,  GaN ,  結晶品質