特許

J-GLOBAL ID：200903088166891922

フォトリソグラフィレチクルをエッチングする方法

発明者： トーマス ピー. コールマン ,  イー-チョウ ハン ,  メリッサ ジェイ. ビュイ ,  ローレンス シュー ,  ブリジット シー. シュテール ,  フィリップ エル. ジョーンズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136222
公開番号（公開出願番号）：特開2004-038154
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

基板例えばフォトリソグラフィレチクル上に配置される光学的に透明な層にエッチングするための方法及び装置が提供される。1つの態様において、基板をエッチングする方法は、処理チャンバ内の支持部材上にレチクルを配置するステップであり、レチクルは、光学的に透明な材料上に配置された減衰材料層、前記減衰材料層上に形成されパターン化された金属フォトマスク、及び前記パターン化され金属フォトマスク上に堆積されたパターン化されたレジスト材料を含む、レチクルを配置するステップと、1つ以上のフッ素含有重合材料及び1つ以上の塩素含有ガスを処理チャンバ内に導入するステップと、RF電力をコイルに適用しバイアス電力を支持部材に適用することによってプラズマを発生させるために、電力を処理チャンバに供給するステップと、露出した減衰材料層の部分をエッチングするステップと、を含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィのレチクルを処理する方法であって、 処理チャンバ内の支持部材上にレチクルを配置するステップであり、レチクルは、光学的に透明な材料上に配置された減衰材料層、前記減衰材料層上に形成されパターン化された金属フォトマスク、及び前記パターン化され金属フォトマスク上に堆積されたパターン化されたレジスト材料を含む、レチクルを配置するステップと、 1つ以上のフッ素を含有する重合材料及び1つ以上の塩素を含有するガスを処理チャンバ内に導入するステップと、 RF電力をコイルに適用しバイアス電力を支持部材に適用することによってプラズマを発生させるために、電力を処理チャンバに供給するステップと、 露出した減衰材料層の部分をエッチングするステップと、 を含む、方法。

IPC (3件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

FI (4件)：

G03F1/08 Z ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/302 104C

Fターム (20件)：

2H095BB03 ,  2H095BB17 ,  2H095BC04 ,  2H095BC24 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA29 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB18 ,  5F004EB07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ハーフトーンマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-244265   出願人：シャープ株式会社
• ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-173199   出願人：大日本印刷株式会社
• ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法およびハーフトーン型位相シフトマスクのブランク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138832   出願人：凸版印刷株式会社
• ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-201651   出願人：三星電子株式会社