特許
J-GLOBAL ID：200903088337967450
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005026
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260803
出願日： 2000年01月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の突起電極間ピッチの微細化と、製造歩留まりの向上を図る。【解決手段】 集積回路が形成された半導体チップ(2)の上面に多数の電極パッド(10)を列設し、その半導体チップ(2)の上面に、各電極パッド(14)の周縁部を被覆し、その内側を露出させるように開口部(16a)を設けた絶縁膜(16)が形成されている。その絶縁膜(16)の開口部(16a)を通して、各電極パッド(14)上にそれぞ2層構造の共通電極膜(21)を介して、両側壁がストレートウオール状の銅めっき層(22)と半田めっき層(24)からなる突起電極(26)を設けている。
請求項（抜粋）：
集積回路およびそれを外部に接続するための複数の電極パッドを設けた半導体チップと、該半導体チップ上に形成され、前記各電極パッドの周縁部を被覆してその内側を露出させるように開口部を設けた絶縁膜と、該絶縁膜の各開口部ごとに、該開口部の周縁と前記電極パッドの露出部分に形成された第1の下部電極膜およびその上に形成された第2の下部電極膜からなる共通電極膜と、該各共通電極膜上に形成された突起電極とからなり、該各突起電極は、前記共通電極膜の第2の下部電極膜上に形成され、かつストレートウォール形状の側壁を有する銅めっき層と、該銅めっき層上に形成された半田めっき層とからなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 C
, H01L 21/92 604 S
