特許
J-GLOBAL ID：200903088373466484

SONOSフラッシュメモリ素子及びその形成方法

発明者：
申 有哲

申 有哲 について

, 
朴 鍾佑

朴 鍾佑 について

, 
崔 正達

崔 正達 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062647
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280467
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 SONOSフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ONO膜がゲートラインと活性領域が交差する部分の半導体基板上にのみ存在して素子分離領域には存在しない。ONO膜がメモリ素子セル単位で完全に分離され、これにより、素子分離動作時隣接したメモリセルの間の干渉による素子誤動作を避けることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定領域に形成された複数の素子分離領域と、前記複数の素子分離領域及びこれらの間の複数の活性領域上部を横切る複数のゲートラインと、前記複数のゲートラインと交差する前記複数の活性領域上にのみ形成された誘電体メモリ物質膜と、前記複数のゲートライン両側の前記複数の活性領域に形成された不純物拡散領域とを含むSONOSフラッシュメモリ素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 491 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (16件)：
5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083GA11 ,  5F083JA04 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR07 ,  5F083PR29 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BF10 ,  5F101BH13 ,  5F101BH19
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM