特許
J-GLOBAL ID：200903021937225523

半導体装置及びその製造方法

発明者：
合田 晃

合田 晃 について

, 
野口 充宏

野口 充宏 について

, 
間 博顕

間 博顕 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313967
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】素子分離領域付近でのゲート絶縁膜の電気的特性と素子分離領域付近以外でのゲート絶縁膜の電気的特性とが等しい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、この半導体基板1中に設けられた溝部中に形成されたシャロートレンチ素子分離領域13と、半導体基板1中に形成され、挟む前記半導体基板表面をチャネルとするソース・ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成され、その膜厚が前記チャネルの中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいゲート絶縁膜10、11、12と、このゲート絶縁膜10、11、12上に形成されたゲート電極14、15とを有する半導体装置である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板中に設けられた溝部中に形成されたシャロートレンチ素子分離領域と、前記半導体基板中に形成され、間にはさむ前記半導体基板表面をチャネル領域とする一対のソース・ドレイン領域と、前記半導体基板上に形成され、その膜厚が前記チャネルの中央部と前記シャロートレンチ素子分離領域と接する部分とで等しいゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (7件)：
H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (80件)：
5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA67 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032BA01 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032CA24 ,  5F032CA25 ,  5F032DA22 ,  5F032DA74 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BE02 ,  5F048BE04 ,  5F048BG14 ,  5F083EP18 ,  5F083EP43 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA11 ,  5F083GA15 ,  5F083GA19 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA05 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA03 ,  5F101BA46 ,  5F101BA53 ,  5F101BB02 ,  5F101BD10 ,  5F101BD27 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH19 ,  5F101BH30 ,  5F140AA06 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD18 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF56 ,  5F140BG20 ,  5F140BG27 ,  5F140BG43 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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