特許
J-GLOBAL ID：200903088573080343

半導体装置の製造方法

発明者：
山 崎 修

山 崎 修 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170911
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011839
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】半導体ウエハへの貼付作業および、エキスパンドおよびチップのピックアップ操作を円滑に行う。【解決手段】基材1とその上に形成された第1の粘接着剤層2とからなる第1の粘接着シート11と、剛直層3とその上に形成された第2の粘接着剤層4とからなる第2の粘接着シート12とを準備し、半導体ウエハ7に、第2の粘接着シート12の第2の粘接着剤層4側を貼付し、略同形状となるように、第2の粘接着シート12の周縁部を切断除去し、半導体ウエハ7よりも大径の第1の粘接着シート11を、第2の粘接着シート12の剛直層3に貼付し、第1の粘接着シート11の周縁部をリングフレーム6で固定し、ダイシングして、第2の粘接着剤層4、剛直層3、第1の粘接着剤層2をICチップと同形状に切断し、エキスパンドして、第1粘着剤層2を前記ICチップ裏面に固着残存させてピックアップし、ダイパッド部上に熱圧着する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基材とその上に形成された第1の粘接着剤層とからなる第1の粘接着シートと、剛直層とその上に形成された第2の粘接着剤層とからなる第2の粘接着シートとをそれぞれ準備し、 半導体ウエハに、第2の粘接着シートの第2の粘接着剤層側を貼付し、 必要に応じ、第2の粘接着シートが該半導体ウエハと略同形状となるように、第2の粘接着シートの周縁部を切断除去し、 半導体ウエハよりも大径の第1の粘接着シートを、第2の粘接着シートの剛直層に貼付し、 第1の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、 前記半導体ウエハをダイシングしてICチップとするとともに、第2の粘接着剤層、剛直層、第1の粘接着剤層をICチップと同形状に切断し、 第1の粘接着シートの基材をエキスパンドしてICチップの間隔を離間し、 前記ICチップ裏面に第2の粘接着剤層、剛直層、第1の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ICチップをダイパッド部上に前記第1の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/301
FI (2件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/78 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM