特許
J-GLOBAL ID：200903088666012097
半導体集積装置および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106595
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293860
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 微小化された半導体集積装置へのコンタクト形成が容易になされ、拡散層を浅く、かつ低抵抗とするとともに、チャネルへの注入制御が容易になされる、積み上げ拡散層を具備する半導体集積装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1内に素子領域R3を形成させる複数個の素子分離絶縁膜(素子分離絶縁部)2A、2Bを備え、かつ素子領域R3内にキャリアのソース拡散層(ソース領域)5Aおよびドレイン拡散層(ドレイン領域)5Bを備え、ソース拡散層5Aあるいはドレイン拡散層5Bの一方に接して上方に積み上げられ、素子分離絶縁膜2A、2B上にいたる位置まで展開される、導電性の積み上げ拡散層(展開層)18A、18Bを備えて構成される。
請求項（抜粋）：
基板内に素子領域を形成させる複数個の素子分離絶縁部を備え、かつ前記素子領域内にキャリアのソース領域およびドレイン領域を備える半導体集積装置であって、前記ソース領域あるいはドレイン領域の一方に接して上方に積み上げられ、前記素子分離絶縁部上にいたる位置まで展開される、導電性の展開層を備えて構成したことを特徴とする半導体集積装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 X
