特許
J-GLOBAL ID:200903088775374640
電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-318305
公開番号(公開出願番号):特開2006-123150
出願日: 2004年11月01日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法。
IPC (4件):
B82B 3/00
, C23C 16/48
, H01L 21/285
, H01L 21/320
FI (4件):
B82B3/00
, C23C16/48
, H01L21/285 C
, H01L21/88 B
Fターム (21件):
4K030AA11
, 4K030AA12
, 4K030BA20
, 4K030FA12
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104DD45
, 4M104DD48
, 5F033HH13
, 5F033HH16
, 5F033HH17
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033PP01
, 5F033PP02
, 5F033PP07
, 5F033PP31
引用特許:
引用文献:
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