特許
J-GLOBAL ID：200903088810351810
ノズルプレート製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272893
公開番号（公開出願番号）：特開2006-088345
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 吐出特性の向上を可能とした段状断面を有するノズル孔を、Si基板を薄型化した後に形成するに際し、工程数を低減しつつ、且つ割れなどがなく安定して製造することが可能な技術を提供する。【解決手段】 Si基板101と支持基板104とを接合した後、Si基板101を薄板化する。そしてSi基板101において支持基板104との接合面とは反対側の面に、スパッタにより酸化膜105を形成した後、Si基板101にドライエッチングを施して段状断面を有するノズル孔12を形成する。ノズル孔12の形成では、酸化膜105をパターニングして第2のエッチングマスクを形成し、更にその上にレジスト121を塗布しパターニングして第1のエッチングマスクを形成し、第1及び第2のエッチングマスクを用いたドライエッチング加工を順次行うことで第1段目の孔12a及び第2段目の孔12bを形成してノズル孔12を得る。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
Si基板と支持基板とを接合する工程と、
前記Si基板を研磨して所望の厚みに研削する工程と、
前記Si基板において前記支持基板との接合面とは反対側の面に、スパッタにより酸化
膜を形成する工程と、
前記Si基板にエッチングを施して、第1段目のノズル孔と、前記第1段目の孔に連通
し、前記第1段目の孔の断面積より断面積が大きい第2段目の孔とを備えたノズル孔を形
成する工程と、
前記支持基板を前記Si基板から剥離する工程とを備え、
前記ノズル孔を形成する工程では、前記酸化膜をパターニングして前記Si基板に前記
第2段目の孔を形成するための第2のドライエッチングマスクを形成し、更にその上にレ
ジストをパターニングして前記Si基板に前記第1段目の孔を形成するための第1のドラ
イエッチングマスクを形成し、前記第1のドライエッチングマスク及び前記第2のドライ
エッチングマスクをマスクとしたドライエッチング加工を順次行うことで、前記第1段目
の孔及び前記第2段目の孔を備えたノズル孔を形成することを特徴とするノズルプレート
製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B41J3/04 103N
, B41J3/04 103H
2C057AF71
, 2C057AF93
, 2C057AG01
, 2C057AG04
, 2C057AG14
, 2C057AG54
, 2C057AP02
, 2C057AP13
, 2C057AP22
, 2C057AP31
, 2C057AP32
, 2C057AP34
, 2C057AP35
, 2C057AP52
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 2C057BA15
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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