特許
J-GLOBAL ID：200903088946917141

窒化物半導体構造及びその製造方法

発明者：
澤木 宣彦

澤木 宣彦 について

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本田 善央

本田 善央 について

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彦坂 年輝

彦坂 年輝 について

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谷川 智之

谷川 智之 について


出願人/特許権者：
国立大学法人名古屋大学

国立大学法人名古屋大学 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151792
公開番号（公開出願番号）：特開2008-305977
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】ピエゾ電界の発生を低減させるのに有利な半極性窒化物半導体を加工基材に選択成長させる際に、マスキング技術を利用することなくの特性ファセット面に選択成長させ、しかもその選択成長により形成された半極性窒化物半導体の結晶品質を高める。【解決手段】(311)Si基材10の(311)面10aに、互いに平行に延びて対向する斜め上向き及び斜め下向きの側面たる(1-11)面31及び(-11-1)面32を有し、かつ(311)Si基材10の<1-1-2>方向に沿って延びる複数の溝30を形成する。次いで、窒化物半導体を結晶成長させて、(11-22)面20aを主面とする窒化物半導体膜(GaN膜20)を形成する。溝30の幅dを20μm以下、深さhを0.2μm以上にするとともに、1≦h/dに調整することにより、溝30のうち(1-11)面31に窒化物半導体を優先的に結晶成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(311)Si基材の(311)面に、互いに平行に延びて対向する斜め上向き及び斜め下向きの側面たる(1-11)面及び(-11-1)面を有し、かつ該(311)Si基材の<1-1-2>方向に沿って延びる複数の溝を形成する基材加工工程と、 前記溝が形成された前記(311)基材の前記(311)面に窒化物半導体を結晶成長させて、(11-22)面を主面とする窒化物半導体膜を形成する結晶成長工程と、を備え、 前記溝の幅dを20μm以下にし、かつ該溝の深さhを0.2μm以上にするとともに、該溝の幅d及び深さhの関係を1≦h/dに調整することにより、溝内面のうち前記(1-11)面に前記窒化物半導体を優先的に結晶成長させることを特徴とする窒化物半導体構造の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34
Fターム (52件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045HA04 ,  5F173AH22 ,  5F173AH48 ,  5F173AP04 ,  5F173AP17 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP38 ,  5F173AP66 ,  5F173AR81
引用特許：
審査官引用 (4件)
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