特許
J-GLOBAL ID：200903088975713407
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-015755
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277746
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】試料への汚染を抑制して処理の効率を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F004AA15
, 5F004BA16
, 5F004BB14
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F004CA02
, 5F004CA08
, 5F004CA09
, 5F004CB12
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA16
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB02
, 5F004DB07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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特開平3-190125
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半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-354249
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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真空処理装置およびそのクリーニング方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-258236
出願人：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社, 日立笠戸エンジニアリング株式会社
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