特許
J-GLOBAL ID：200903043237187853

真空処理装置およびそのクリーニング方法

発明者：
松本 英治

松本 英治 について

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金清 任光

金清 任光 について

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藤本 幸太郎

藤本 幸太郎 について

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萱野 淳一

萱野 淳一 について

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吉田 篤

吉田 篤 について

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中司 孝則

中司 孝則 について

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六反 豊弘

六反 豊弘 について

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佐藤 仁昭

佐藤 仁昭 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日立テクノエンジニアリング株式会社

日立テクノエンジニアリング株式会社 について

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日立笠戸エンジニアリング株式会社

日立笠戸エンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258236
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085401
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板を連続で処理することにより、処理室内に堆積した反応生成物を効率よく除去する方法、及び装置構成を提供する。【解決手段】 基板処理感覚を1枚からN枚毎にクリーニングを行い、かつ処理室内面、電極に反応生成物を除去するため物理的スパッタリングを行う。連続処理において異物発生のない、安定して半導体基板を処理できる半導体製造装置のクリーニング方法と装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
真空ポンプを有する処理室、プラズマを発生させる機構、前記処理室にガスを導入する機構、前記処理室に処理する基板を搬入する機構、前記処理室内で基板を処理するために電極を有する機構、及び前記基板を電極に固定する機構を具備する真空処理装置における、前記処理室内をクリーニングするクリーニング方法であって、該処理室で基板を処理する前後で、クリーニングを有する工程と、該処理室を大気から減圧した後クリーニングを有する工程と、該処理室を大気にする前にクリーニングを有する工程と、該処理室で基板を複数枚処理する工程で、1枚からN枚まででクリーニングを有する工程、とを含むことを特徴とするクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 N ,  C23C 16/44 J ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 F
Fターム (23件)：
4K030DA06 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA08 ,  4K030KA22 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26
引用特許：
審査官引用 (17件)
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